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FQPF11P06中文资料

FQPF11P06图片

FQPF11P06外观图

  • 大小:823KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:175 毫欧 @ 4.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:550pF @ 25V
  • 功率 - 最大:30W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220F
  • 包装:管件
  • 其它名称:FQPF11P06-NDFQPF11P06FS

FQPF11P06供应商

更新时间:2023-02-05 08:48:04
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