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FQPF11P06中文资料

FQPF11P06图片

FQPF11P06外观图

  • 大小：823KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：175 毫欧 @ 4.3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：550pF @ 25V
  • 功率 - 最大：30W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220F
  • 包装：管件
  • 其它名称：FQPF11P06-NDFQPF11P06FS

FQPF11P06供应商

更新时间:2023-02-05 08:48:04
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